PBSS8110Z /T3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  PBSS8110Z /T3
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PBSS8110Z /T3 Collector- Base Voltage Vcbo: 120 V Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 100 V Collector-emitter Saturation Voltage: 5 V Configuration: Single Continuous Collector Current: 1 A Dc Collector/base Gain Hfe Min: 150 at 1 mA at 10 V Emitter- Base Voltage Vebo: 5 V Factory Pack Quantity: 4000 Gain Bandwidth Product Ft: 100 MHz Maximum Operating Temperature: + 150 C Maximum Power Dissipation: 1400 mW Minimum Operating Temperature: - 65 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-73 Part # Aliases: PBSS8110Z,135 Product Category: Transistors Bipolar - BJT Rohs: yes Transistor Polarity: NPN
• Количество страниц
  14 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  137,14 KB

PBSS8110Z /T3 datasheet скачать

PBSS8110Z /T3 datasheet